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自主設(shè)計研發(fā)的SiC二極管，采用國際最先進(jìn)的MPS技術(shù)，與單純的SBD/JBS結(jié)構(gòu)相比，可大大提升其浪涌電流能力，以及在承受高反向電壓時可大幅降低漏電流的能力。

基于XM3.0自主技術(shù)平臺的開發(fā)的第三代SiC MOSFET，采用臺階狀精細(xì)結(jié)構(gòu)原胞，高保護(hù)效率的復(fù)合終端結(jié)構(gòu)。更小的芯片尺寸、更低的米勒電容、更高的擾能力、領(lǐng)先的器件性能，真正完全國產(chǎn)化的SiC MOSFET產(chǎn)品。