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SiC MOSFET
規(guī)格型號(hào)
VDSS:650V-3300V
RDS(on):14mΩ-5000mΩ
應(yīng)用領(lǐng)域
新能源汽車、工業(yè)變頻、充電樁、光伏逆變器、儲(chǔ)能、UPS等領(lǐng)域。
產(chǎn)品優(yōu)勢

芯塔電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品具有高擊穿電壓、高抗干擾能力、高可靠性、低反向漏電流、低米勒電容、低優(yōu)值因子(QGD*RDS)以及高溫下更低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢。TM2G0080120JA型號(hào)已通過權(quán)威第三方AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證及HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。

產(chǎn)品定制
接受客制化,如需定制請聯(lián)系我們
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