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芯塔電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品具有高擊穿電壓、高抗干擾能力、高可靠性、低反向漏電流、低米勒電容、低優(yōu)值因子(QGD*RDS)以及高溫下更低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢。TM2G0080120JA型號(hào)已通過權(quán)威第三方AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證及HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。
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