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全SiC功率模塊

規(guī)格型號

V_DSS：1200V
R_DS(on)：2mΩ-40mΩ

應(yīng)用領(lǐng)域

新能源汽車、充電樁、光伏、儲能、UPS、變頻器等

產(chǎn)品優(yōu)勢

全碳化硅功率模塊與傳統(tǒng)硅基IGBT相比，全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率，開關(guān)損耗可降低70%以上。

產(chǎn)品定制

接受客制化，如需定制請聯(lián)系我們

全SiC功率模塊? 篩選表

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